镀银最早始于l800年，个镀银的专利是1838年由英国伯明翰的Elkington兄弟提出的，所用的镀液为碱性氰化物镀液，与他们发明的碱性氰化物镀黄金体系很类似。一个多世纪以来，镀银液的基本配方和当年的配方差别不大，仅仅是提高了银配位离子浓度以达到快速镀银的目的而已。氰系镀液过去的主要缺点是使用的电流密度小，现在这个问题也解决了，高效镀银使电流密度可高达10A/dm，光亮镀银可达1．5～3A/dm，其镀面光滑而无需再打光，也可镀厚。近年来快速发展起来的电子元器件的高速选择性镀银，如引线框架的选择性镀银，采用喷射镀的方法。所用的电流密度高达300～3000A/dm，镀液中氰化银钾[KAg(CN)2]的浓度 也高达40～75g/L，阳极采用白金或镀铂的钛阳极，这样在1s内即可镀上约4～5μm的银层，它已能满足硅芯片和银焊垫之间用铝线来键合(Bonding)。